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型號：PDTA123EMB；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC123EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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