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019N12N6

型號(hào)：IPF019N12NM6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitching ?Pb-freeleadplating;RoHSco

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon
供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon
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Infineon Technologies
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更多019N12N6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 17:51:00

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