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1214-300M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

1214-300M
廠商型號(hào)

1214-300M
參數(shù)屬性

1214-300M 封裝/外殼為55ST；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST
功能描述

300 Watts - 40 Volts, 150關(guān)s, 10 Radar 1200 - 1400 MHz
RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST
封裝外殼

55ST
文件大小

227.11 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-30 10:18:00

1214-300M規(guī)格書詳情

1214-300M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的1214-300M晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

GENERAL DESCRIPTION

The 1214-300M is an internally matched, COMMON BASE transistor capable of providing 300 Watts of pulsed RF output power at one hundred fifty microseconds pulse width, ten percent duty factor across the band 1200 to 1400 MHz. This hermetically solder-sealed transistor is specifically designed for L-Band radar applications. It utilizes gold metalization and NiCr emitter ballasting to provide high reliability and supreme ruggedness.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    1214-300M

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    50V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益：

    7dB

  • 功率 - 最大值：

    88W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 500mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    4A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    55ST

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    55ST

  • 描述：

    RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Microsemi
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