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1N120分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

1N120
廠商型號

1N120
參數(shù)屬性

1N120 封裝/外殼為DO-203AA，DO-4，接線柱；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
功能描述

GOLD BONDED DIODES
封裝外殼

DO-203AA，DO-4，接線柱
文件大小

2.79285 Mbytes
頁面數(shù)量

78 頁
生產(chǎn)廠商 List of Unclassifed Manufacturers
企業(yè)簡稱

ETC

中文名稱

未分類制造商
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-26 23:00:00

1N120規(guī)格書詳情

[VMI]

200 V - 1,000 V Single Phase Bridge

22.0 A - 25.0 A Forward Current

70 ns - 3000 ns Recovery Time

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    1N1200A

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    標準

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    12A

  • 速度：

    標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AA，DO-4，接線柱

  • 供應商器件封裝：

    DO-4

  • 工作溫度 - 結：

    -65°C ~ 200°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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