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1PS10SB82

Schottkybarrierdiode

1.Generaldescription AnepitaxialSchottkybarrierdiodeencapsulatedinaSOD882leadlessultrasmallplasticpackage. ESDsensitivedevice,observehandlingprecautions. 2.Featuresandbenefits ?Lowforwardvoltage ?Lowdiodecapacitance ?Leadlessultrasmallplasticpackage(1.0m

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

1PS10SB82

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

1PS10SB82

Schottkybarrierdiode

DESCRIPTION AnepitaxialSchottkybarrierdiodeencapsulatedinaSOD882leadlessultrasmallplasticpackage. ESDsensitivedevice,observehandlingprecautions. FEATURES ?Lowforwardvoltage ?Lowdiodecapacitance ?Leadlessultrasmallplasticpackage (1.0mm×0.6mm×0.5mm

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

1PS10SB82

Schottkybarrierdiode

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    1PS10SB82 T/R

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

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更多1PS10SB82 T/R供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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