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1SS196(TE85L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
1SS196	文件：93.74 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE HighConductance FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星電子股份有限公司	WTE
1SS196	文件：771.02 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY
1SS196	文件：1.12895 Mbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1SS196	文件：337.43 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDIODES FEATURES ?Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ?Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
1SS196	文件：1.98335 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●Lowforwardvoltage ●Fastreverserecoverytime Applications ●Extremefastswitches	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司	HDSEMI
1SS196	文件：85.13 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDIODE Features ●Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25°C) ●ForwardCurrent IF:100mA ●ReverseVoltage VR:80V ●Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
1SS196	文件：241.23 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Lowforwardvoltage VF(3)=0.9V(typ). ●Fastswitching. ●Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ) APPLICATIONS ●Highspeedswitchingapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1SS196	文件：1.2703 Mbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode SwitchingDiode FEATURES Lowforwardvoltage Fastreverserecoverytime	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
1SS196	文件：208.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
1SS196	文件：60.16 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:100mA ReverseVoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明陽國際貿(mào)易廣州市明陽國際貿(mào)易有限公司	KISEMICONDUCTOR
1SS196	文件：168.86 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS196	文件：234.13 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiodes Features ◇Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) ◇Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1SS196	文件：122.54 Kbytes Page：3 Pages	Surfacemountswitchingdiode	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1SS196	文件：565.47 Kbytes Page：3 Pages	150mWSwitchingDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
1SS196	文件：110.01 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODES SWITCHINGDIODES FEATURES Lowforwardvoltage:VF(3)=0.9V(typ.) Fastreverserecoverytime:trr=1.6ns(typ.)	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半導(dǎo)體美科半導(dǎo)體股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
1SS196	文件：135.27 Kbytes Page：2 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE Features ?Smallpackage ?Lowforwardvoltage ?Fastreverserecoverytime ?Smalltotalcapacitance Applications ?Ultrahighspeedswitchingapplication	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1SS196	文件：92.22 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23SWITCHINGDIODE	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
1SS196	文件：221.93 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSwitchingDiodes100mAMPERES80VOLTS SWITCHINGDIODE100mAMPERES80VOLTS Features: FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion HighConductance ForGeneralPurposeSwitchingApplications	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
1SS196	文件：528.73 Kbytes Page：3 Pages	150mWSwitchingDiodes Features ?LowLeakageCurrent ?SurfaceMountSOT-23Package ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?MarkingCode:G3 ????????Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
1SS196(TE85L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)
電流 - 平均整流 (Io)：
100mA
速度：
小信號 =< 200mA（Io），任意速度
不同?Vr、F 時(shí)電容：
3pF @ 0V，1MHz
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
SC-59-3
工作溫度 - 結(jié)：
125°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	1SS196(TE85L,F)	TOSHIBA(東芝)	23+		7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	1SS196(TE85L,F)	TOSHIBA/東芝	23+	SOT23-3	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	1SS196(TE85L,F)	TOSHIBA/東芝	23+	SOT23-3	6500	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	1SS196(TE85L,F)		24+	N/A	51000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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更多1SS196(TE85L,F)供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-1 8:14:00

產(chǎn)品屬性

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