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20M1H012

型號:IMYH200R012M1H;Package:PG-TO247-4-PLUS-NT14;CoolSiC? 2000 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=2000VatTvj=25°C ?IDCC=123AatTc=25°C ?RDS(on)=12mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?.XTinterconnectiontechnologyforbest-in-classthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多20M1H012供應商 更新時間2025-7-30 18:25:00