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2N119中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N119
廠商型號(hào)

2N119

功能描述

N-P-N GROWN JUNCTION SILICON TRANSISTOR

文件大小

133.83 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 16:30:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N119

  • 別名:

    2N119三極管、2N119晶體管、2N119晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    45V

  • 最大電流允許值:

    0.025A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BC167,BC182,BC237,BC547,

  • 最大耗散功率:

    0.15W

  • 放大倍數(shù):

    β>38

  • 圖片代號(hào):

    D-161

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.025

  • wtest:

    0.15

2N119規(guī)格書詳情

36 to 86 beta spread Specifically designed for high gain at high temperatures

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N119

  • 制造商:

    NJSEMI

  • 制造商全稱:

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述:

    N-P-N GROWN JUNCTION SILICON TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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