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2N2919分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列規(guī)格書PDF中文資料

2N2919
廠商型號

2N2919

參數屬性

2N2919 封裝/外殼為TO-78-6 金屬罐;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列;產品描述:TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

功能描述

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

封裝外殼

TO-78-6 金屬罐

文件大小

304.78 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:21:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N2919(A)

  • 別名:

    2N2919三極管、2N2919晶體管、2N2919晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Ge-NPN

  • 性質:

    差分放大器射極輸出 (Dual)_低噪放大 (ra)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    45V

  • 最大電流允許值:

    0.03A

  • 最大工作頻率:

    >60MHZ

  • 引腳數:

    6

  • 可代換的型號:

    BFW39,BFW40,BFY81,BFY91,BFY92,2N2639,2N2640,2N2642,2N2643,2N2644,3DG110CX2,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    D-52

  • vtest:

    45

  • htest:

    60000100

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0

2N2919規(guī)格書詳情

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500 /355

產品屬性

  • 產品編號:

    2N2919

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    60V

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10μA,5V

  • 功率 - 最大值:

    600mW

  • 頻率 - 躍遷:

    60MHz

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-78-6 金屬罐

  • 供應商器件封裝:

    TO-78-6

  • 描述:

    TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

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