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2N3637分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N3637
廠商型號

2N3637
參數(shù)屬性

2N3637 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：NPN POWER SILICON TRANSISTORS
功能描述

PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS
文件大小

252.72 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Continental Device India Limited
企業(yè)簡稱

CDIL

中文名稱

Continental Device India Limited官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-3 23:00:00

晶體管資料

  • 型號：

    2N3637(S)

  • 別名：

    2N3637三極管、2N3637晶體管、2N3637晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    175V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    >150MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,

  • 最大耗散功率：

    1W

  • 放大倍數(shù)：

    β>100

  • 圖片代號：

    C-40

  • vtest：

    175

  • htest：

    150000100

  • atest：

    1

  • wtest：

    1

2N3637規(guī)格書詳情

PNP SILICON PLANAR RF TRANSISTORS

2N3635 and 2N3637 Are PNP Silicon Transistros For High Voltage Switching and Low Power Amplifier.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N3637

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    NPN POWER SILICON TRANSISTORS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SSI
23+
NA/
4584
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
 詢價
TSC
23+
NA
590
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
SSI
1428+
CAN
1314
原裝庫存有訂單來談優(yōu)勢
 詢價
MOTOROLA
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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MICROSEMI/美高森美
QQ咨詢
SMD3
943
全新原裝 研究所指定供貨商
 詢價
24+
CAN
7000
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2N3637
2
2
詢價
MOTOROLA
22+
CNA3
25000
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠,假一罰十
 詢價
MICROSEMI/美高森美
22+
SMD3
11190
原裝正品
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MSCI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價

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