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2N4233A

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0.

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

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Power Transistors

PowerTransistorsTO-66Case

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

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MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTOR

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N4233A

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation. APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N4233A

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS

COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66

SEME-LAB

Seme LAB

2N4233A

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N4233A

包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PNP TRANSISTOR

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N4233A

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    PNP TRANSISTOR

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更多2N4233A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-2 16:00:00

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