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2N5306A中文資料GESS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N5306A
廠商型號

2N5306A

功能描述

SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

文件大小

126.29 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產廠商 GE Solid State
企業(yè)簡稱

GESS

中文名稱

GE Solid State

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-26 11:09:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5306A

  • 別名:

    2N5306A三極管、2N5306A晶體管、2N5306A晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_前置放大 (V)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    0.3A

  • 最大工作頻率:

    60MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

    β>7000

  • 圖片代號:

    A-20

  • vtest:

    25

  • htest:

    60000000

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0.4

2N5306A規(guī)格書詳情

Silicon Darlington Transistors

產品屬性

  • 型號:

    2N5306A

  • 制造商:

    GESS

  • 制造商全稱:

    GESS

  • 功能描述:

    SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

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