2N5401N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
2N5401N |
參數(shù)屬性 | 2N5401N 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA);包裝為帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3 |
功能描述 | PNP Silicon Transistor |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) |
文件大小 |
252.13 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | AUK corp |
企業(yè)簡稱 |
AUK |
中文名稱 | AUK corp官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-19 18:28:00 |
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Description
?General purpose amplifier
?High voltage application
Features
?High collector breakdown voltage : VCBO= -160V, VCEO= -160V
?Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.)
?Complementary pair with 2N5551N
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N5401NLBU
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
帶盒(TB)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 5mA,50mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 10mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
400MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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