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2N5879分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N5879
廠商型號

2N5879
參數(shù)屬性

2N5879 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
功能描述

COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
文件大小

186.39 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Boca Semiconductor Corporation
企業(yè)簡稱

boca【博卡】

中文名稱

博卡半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-6 23:00:00

晶體管資料

  • 型號：

    2N5879

  • 別名：

    2N5879三極管、2N5879晶體管、2N5879晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    >4MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BD316,BD746A,BDW52A,2N4398,2N5683,2N6029,2N6030,2N6031,3CK015C,

  • 最大耗散功率：

    160W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    60

  • htest：

    4000100

  • atest：

    15

  • wtest：

    160

2N5879規(guī)格書詳情

General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications

FEATURES:

* Low Collector-Emitter Saturation Voltage -

VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A

* Execllent DC Current Gain -

hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N5879

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

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