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2N6212分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2N6212
廠商型號

2N6212

參數(shù)屬性

2N6212 封裝/外殼為TO-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 300V 2A TO66

功能描述

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

58.31 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-19 9:58:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N6212

  • 別名:

    2N6212三極管、2N6212晶體管、2N6212晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    350V

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    >20MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BUX66B,BUX66C,2N5345,2SA1009(A),2SA1236,2SA1397,

  • 最大耗散功率:

    35W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-8

  • vtest:

    350

  • htest:

    20000100

  • atest:

    2

  • wtest:

    35

2N6212規(guī)格書詳情

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/461

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N6212

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 125mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 1A,3.2V

  • 頻率 - 躍遷:

    20MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66

  • 描述:

    TRANS PNP 300V 2A TO66

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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