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2N6650 | POWER TRANSISTORS(10A,100W) 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTOR40-80VOLTS100WATTS | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6650 | POWER TRANSISTORS TO-3 CASE PowerTransistors TO-3Case(Continued) | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6650 | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR PNPDARLINGTONPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/527 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
2N6650 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6650 | PNP silicon power darington transistor DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6678seriestypesarePNPSiliconPowerDarlingtonTransistorsdesignedforpowerswitchingandamplifierapplications. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6650 | 包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PNP TRANSISTOR | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDV64A,BDX84B,BDX86B,MJ2501,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
100
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6650
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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MOT |
24+ |
TO-3 |
286 |
詢價(jià) | |||
MOTO |
2023+ |
TO-3 |
80000 |
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MOTO |
24+ |
TO-3 |
35210 |
一級(jí)代理/放心采購 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
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19960 |
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MICROSEMI |
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SMD |
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rca |
24+ |
500000 |
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TO-3 |
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Microchip |
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詢價(jià) |
