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2N6668

POWER TRANSISTORS(65W)

8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

2N6668

DARLINGTON POWER TRANSISTORS(PNP SILICON )

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N6668

SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR

SILICONPNPPOWERDARLINGTONTRANSISTOR ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■PNPDARLINGTON ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE APPLICATIONS: ■GENERALPURPOSESWITCHING ■GENERALPURPOSESWITCHINGANDAMPLIFIER

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

2N6668

PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTORS

PLASTICMEDIUM-POWERSILICONTRANSISTORS 8AND10AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSPNPSILICON40-80VOLTS65WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N6668

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N6668

Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W

DarlingtonSiliconPowerTransistors Designedforgeneral?purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain? hFE=3500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@200mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)?2N6667 =80

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N6668

Darlington Power Transistor

[multicomp] 10AmpereDarlingtonPowerTransistorsPNPSilicon80Volts65Watts PlasticMedium-PowerSiliconTransistorsaredesignedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features: ?Collector-EmitterSustainingVoltage VCEO(sus)=80V(Minim

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商

2N6668

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=-5A ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-80V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-5A ·ComplementtoType2N6388 APPLICATIONS ·Designedforgener

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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Darlington Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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Darlington Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N6668

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,

  • 最大耗散功率：

    65W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號(hào)：

    B-84

  • vtest：

    80

  • htest：

    999900

  • atest：

    8

  • wtest：

    65

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N6668

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類(lèi)型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 100mA，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 5A，3V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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