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2N7002WT1G中文資料臺(tái)舟電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N7002WT1G
廠商型號(hào)

2N7002WT1G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

72Kc

封裝外殼

SOT-323

文件大小

1.83804 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 TECH PUBLIC Electronics co LTD
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TECHPUBLIC臺(tái)舟電子

中文名稱

臺(tái)舟電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-28 22:59:00

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2N7002WT1G規(guī)格書詳情

Features

Low on-resistance

ESD protected gate up to 2kV HBM

High-speed switching

Drive circuits can be simple

Parallel use is easy

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N7002WT1G

  • 功能描述:

    MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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