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2SAR502E3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SAR502E3
廠商型號

2SAR502E3

參數(shù)屬性

2SAR502E3 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PNP, SOT-416, -30V -500MA, GENER

功能描述

PNP 500mA 30V General purpose transistors

絲印標識

LT

封裝外殼

SOT-416 / SC-75,SOT-416

文件大小

2.58265 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-27 18:25:00

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2SAR502E3規(guī)格書詳情

Features

1)General purpose.

2)Complementary NPN types :

 2SCR502E3(EMT3) / 2SCR502U3(UMT3)

3)Collector current is large.

4)Low VCE(sat).

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SAR502E3HZGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 10mA,200mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    200nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    520MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應商器件封裝:

    EMT3

  • 描述:

    PNP, SOT-416, -30V -500MA, GENER

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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