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2SAR583D3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2SAR583D3
廠(chǎng)商型號(hào)

2SAR583D3

參數(shù)屬性

2SAR583D3 封裝/外殼為T(mén)O-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 7A TO252

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63

文件大小

332.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISC無(wú)錫固電

中文名稱(chēng)

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-30 16:48:00

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2SAR583D3規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

·Collector-emitter breakdown voltage

: BVCEO= -50V(Min)

·High DC Current Gain

: hFE= 180-450@ (VCE= -3V, IC= -1A)

·Low Saturation Voltage

: VCE(sat)= -0.35V(Max)@ (IC= -3A, IB= -0.15A)

·Complement to Type 2SCR583D3

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for use as a driver in DC/DC converters and

actuators.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SAR583D3TL1

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 150mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 1A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    230MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn) + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 7A TO252

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ROHM Semiconductor
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