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2SC3649T-TD-E分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

2SC3649T-TD-E
廠商型號

2SC3649T-TD-E
參數屬性

2SC3649T-TD-E 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 160V 1.5A PCP
功能描述

Bipolar Transistor High breakdown voltage and large current capacity
TRANS NPN 160V 1.5A PCP
封裝外殼

TO-243AA
文件大小

354.15 Kbytes
頁面數量

7 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-11 22:59:00

2SC3649T-TD-E規(guī)格書詳情

2SC3649T-TD-E屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的2SC3649T-TD-E晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

Features

? Adoption of FBET, MBIT processes

? High breakdown voltage and large current capacity

? Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s

產品屬性

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  • 產品編號：

    2SC3649T-TD-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    450mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    120MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    PCP

  • 描述：

    TRANS NPN 160V 1.5A PCP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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