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2SC5012分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2SC5012
廠商型號

2SC5012

參數(shù)屬性

2SC5012 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343

功能描述

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD

封裝外殼

SC-82A,SOT-343

文件大小

50.84 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-12 22:30:00

晶體管資料

  • 型號:

    2SC5012

  • 別名:

    2SC5012三極管、2SC5012晶體管、2SC5012晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    超高頻/特高頻 (UHF)_低噪放大 (ra)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.065A

  • 最大工作頻率:

    9GHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-17

  • vtest:

    20

  • htest:

    9000000000

  • atest:

    0.065

  • wtest:

    0

2SC5012規(guī)格書詳情

FEATURES

? Small Package

? High Gain Bandwidth Product (fT = 9 GHz TYP.)

? Low Noise, High Gain

? Low Voltage Operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC5012-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 20mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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