2SC6026MFVGR,L3F_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號:2SC6026MFVGR,L3F品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明:TRANS NPN 50V 0.15A VESM

2SC6026MFVGR,L3F是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-723的2SC6026MFVGR,L3F晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

  • 芯片型號:

    2sc6026mfvgr,l3f

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  • 資料說明:

    TRANS NPN 50V 0.15A VESM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    2SC6026MFVGR,L3F

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,6V

  • 頻率 - 躍遷:

    60MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-723

  • 供應商器件封裝:

    VESM

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.15A VESM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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