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2SD1119

Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification0

SiliconNPNepitaxialplanertype Forlow-frequencypoweramplification ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow-voltagepowersupply. ●Minitypepackage,allowingdownsizingoftheequipmentan

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

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Silicon NPN epitaxial planar type

Features ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywith thelowvoltagepowersupply.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

KEXIN

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TRANSISTOR (NPN)

FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow voltagepowersupply.

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

HTSEMI

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SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow voltagepowersupply.

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

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Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package

Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),Highperformanceatlowsupplyvoltage. Applications AFPoweramplifier.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

FOSHAN

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Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ?Satisfactoryoperationperformancesathighefficiency withthelowvoltagepowersupply.

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

HOTTECH

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Silicon NPN epitaxial planar type

FEATURES ●Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesat highefficiencywiththelow-voltagepowersupply.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SD1119

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/tq/marking.html">TQ；Package：SOT-89-3L；SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow voltagepowersupply.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

DGNJDZ

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普通三極管

FOSANANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD

富信半導(dǎo)體安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司

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雙極型晶體管

LGEShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • PCM(W)：

    0.5

  • IC(A)：

    3

  • VCBO(V)：

    40

  • VCEO(V)：

    25

  • VEBO(V)：

    7

  • hFEMin：

    230

  • hFEMax：

    600

  • hFE@VCE(V)：

    2

  • hFE@IC(A)：

    0.5

  • VCE(sat)(V)：

    1

  • VCE(sat)\u001E@IC(A)：

    3

  • VCE(sat)\u001E@IB(A)：

    0.1

  • Package：

    SOT-89

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更多2SD1119供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00

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