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2SD1126K	文件：33.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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2SD1126	文件：249.52 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=5A ?LowSaturationVoltage APPLICATIONS ?Designedforpowerswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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更多2SD1126K供應(yīng)商更新時(shí)間2025-3-18 16:35:00