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2SD1601

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2A ?ComplementtoType2SB1101 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1602

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=2A ?ComplementtoType2SB1102 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1603

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104

SILICONNPNTRIPLEDIFFUSED LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER COMPLEMENTARYPAIRWITH2SB1103AND2SB1104

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1603

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=4A ·ComplementtoType2SB1103 APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1604

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=4A ?ComplementtoType2SB1104 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1604

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENT PAIR WITH 2SB1103 AND 2SB1104

SILICONNPNTRIPLEDIFFUSED LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER COMPLEMENTARYPAIRWITH2SB1103AND2SB1104

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1605

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ?HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A ?ComplementtoType2SB1105 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifiersapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1606

Silicon NPN Triple Diffused

Application Lowfrequencypoweramplifier

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SD1606

Silicon NPN Triple Diffused

Application Lowfrequencypoweramplifier

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1608

Medium Speed Power Switching

SiNPNTripleDiffusedPlanarDarlington MediumSpeedPowerSwitching ComplementaryPairwith2SB1108 Features ?HighhFE ?Highspeedswitching ?FullPackpackageforsimplifiedmountingonlybyascrew,requiresnoinsulator.

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1601

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD715,BDW23A,BDW53A,2SD686,2SD837,2SD1190,2SD1276,2SD1392,2SD1595,2SD1932,3DK205B,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-44

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    40

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SD160

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 4A 40W BCE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-220
10000
全新
 詢價
HIT
23+
原廠原裝
3000
全新原裝
 詢價
HIT
1738+
TO-220
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價
HITACHI
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價
HITACHI/日立
22+
TO-220
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
HITACHI
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
HITACHI
24+
TO-TO-220
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價
日立
24+
TO-220
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
更多2SD160供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 16:00:00

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