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2SD1700

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD1700isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotordriver,printerdriver,solenoiddriver. FEATURES ●HighDCCurrentGain ●ZenerDiodebetweenCollectorandBaseforAbsorbingSurgeVoltageisBuilt-in. ●ReverseDiodebetweenCollectorandEmit

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1701

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD1701isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotordriver,printerdriver,solenoiddriver. FEATURES ●HighDCCurrentgain. ●ZenerDiodebetweenCollectorandBaseforAbsorbing SurgeVoltageisbuilt-in. ●ReverseDiodebetweenCollectorand

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1702

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

DESCRIPTION The2SD1702isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotor,printerdriver,solenoiddriver.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD1702

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

DESCRIPTION The2SD1702isNPNsiliconepitaxialdarlingtontransistordesignedforpulsemotor,printerdriver,solenoiddriver.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SD1705

Silicon NPN epitaxial planar type

Forpowerswitching Complementaryto2SB1154 ■Features ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ?SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE ?LargecollectorcurrentIC ?Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SD1705

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ?GoodLinearityofhFE ?LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=6A ?ComplementtoType2SB1154 APPLICATIONS ?Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1706

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=7A ·ComplementtoType2SB1155 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD1706

SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE POWER SWITCHING

ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SD1707

Silicon NPN epitaxial planar type

ForpowerswitchingComplementaryto2SB1156 ■Features ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCE(sat) ?SatisfactorylinearityofforwardcurrenttransferratiohFE ?LargecollectorcurrentIC ?Full-packpackagewhichcanbeinstalledtotheheatsinkwithonescrew

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

2SD1707

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage:V(BR)CEO=80V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Max.)@IC=8A ·ComplementtoType2SB1156 APPLICATIONS ·Designedforpowerswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SD1701

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    INT.Z_DIODE(B->C)

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SD2068,

  • 最大耗散功率：

    0.75W

  • 放大倍數(shù)：

    β>4000

  • 圖片代號：

    A-68

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    0.75

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SD170

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY NEC TRANSISTOR TO-9260V .8A .75W ECB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SD170供應(yīng)商 更新時間2025-2-14 14:02:00

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