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2SJ200中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SJ200
廠商型號

2SJ200
功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
絲印標識

J200
封裝外殼

SC-65
文件大小

297.65 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 11:16:00
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2SJ200規(guī)格書詳情

High Power Amplifier Application

? High breakdown voltage : VDSS = ?180 V

? High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.)

? Complementary to 2SK1529

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    2SJ200

  • 制造商：

    TOSHIBA

  • 制造商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述：

    High Power Amplifier Application

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