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2SK3114B-S17-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3114B-S17-AY
廠商型號

2SK3114B-S17-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

334.54 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-6 22:59:00

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2SK3114B-S17-AY規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3114B is N-channel MOS FET device that features a low

gate charge and excellent switching characteristics, and designed

for high voltage applications such as switching power supply, AC

adapter.

FEATURES

? Low on-state resistance

RDS(on) = 2.2 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

? Low gate charge

QG = 13.6 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 4.0 A)

? Gate voltage rating : ±30 V

? Avalanche capability ratings

? Isolated TO-220 package

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
23+
NA/
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