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2SK3233-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=1.1?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=500V) ?Highspeedswitching:tf=15nstyp(atVGS=10V,VDD=250V,ID=2.5A) ?Lowgatecharge:Qg=15nCtyp(atVDD=400V,VGS=10V,ID=5A) ?Avalancheratings

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3233

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=1.1?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=500V) ?Highspeedswitching:tf=15nstyp(atVGS=10V,VDD=250V,ID=2.5A) ?Lowgatecharge:Qg=15nCtyp(atVDD=400V,VGS=10V,ID=5A) ?Avalancheratings

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3233

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3233

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

2SK3233

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=1.1?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=500V) ?Highspeedswitching:tf=15nstyp(atVGS=10V,VDD=250V,ID=2.5A) ?Lowgatecharge:Qg=15nCtyp(atVDD=400V,VGS=10V,ID=5A) ?Avalancheratings

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

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更多2SK3233-E供應商 更新時間2025-3-8 15:45:00

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