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2SK3510

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SK3510

MOS Field Effect Transistor

Features ●Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mMAX.(VGS=10V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SK3510

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingatepro

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3510

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3510-S

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SK3510-S

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingatepro

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3510-Z

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SK3510-Z

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingatepro

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3510-ZJ

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingateprotectiondiode

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SK3510-ZJ

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ?Built-ingatepro

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SK3510

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
VB
2024
T0-220
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更多2SK3510供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 17:06:00

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