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2SK3761

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS4)

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.9Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) ?Enhancement-mode:Vth=2.0~4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK3761

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SK3761

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    MOSFET N 600V TO-220AB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SK3761供應(yīng)商 更新時間2025-3-9 20:18:00

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