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4X16E43V

4 MEG x 16 EDO DRAM

[MEMPHIS] GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsare

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未分類制造商

4X16E43V

4 MEG x 16 EDO DRAM

未知品牌

未知品牌

5.1R1W

厚生/國(guó)巨
DIP

厚生/國(guó)巨

50.612M/EMV

Jacob

Jacob

500873-0806

MOLEX
SMD

MolexMolex Incorporated

莫仕

上傳：深圳市英瑞爾電子科技有限公司

Molex

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    4X16E43V

  • 功能描述：

    4 MEG x 16 EDO DRAM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
EtronTech
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TSOP54
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全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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TSOP86
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
更多4X16E43V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 10:20:00

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