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55GN01M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

55GN01M
廠商型號(hào)

55GN01M
參數(shù)屬性

55GN01M 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
功能描述

UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

29.52 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Sanyo Semicon Device
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SANYO【三洋】

中文名稱

三洋電機(jī)株式會(huì)社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 11:10:00
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55GN01M規(guī)格書詳情

UHF Wide-band Low-noise Amplifier Applications

Features

? High cutoff frequency : fT= 5.5GHz typ.

? High gain : |S21e|2=10dB typ (f=1GHz).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    55GN01MA-TL-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz ~ 5.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益：

    10dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值：

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3-MCP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
SOT-323
531054
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