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5N06

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

LMTM5N06

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LEIDITECH

MTD5N06

PowerFieldEffectTransistors

PowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancementModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

Motorola

MTD5N06D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

5P49V5901B000NLGI

IDT
VFQFPN-24

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

上傳:深圳市芯巴巴科技有限公司

IDT
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更多5N06供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 14:13:00