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600F8R2BT250XT

Airfast RF Power LDMOS Transistor

Designedforhandheldtwo?wayradioapplicationswithfrequenciesfrom 136to941MHz.Thehighgain,ruggednessandwidebandperformanceofthis devicemakeitidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicationsin handheldradioequipment. Features ?Characterizedforoperationf

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

600F8R2BT250XT

Ultra-Low ESR, High Q, NPO RF Microwave Capacitors

etc2List of Unclassifed Manufacturers

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600F8R2BT250XT

RF Power GaN Transistor

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RF Power GaN Transistor

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RF Power LDMOS Transistor

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RF Power LDMOS Transistor

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600F8R2BT250XT

Package:0805(2012 公制);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0805

ATC

American Technical Ceramics Corp

600F8R2BT250XT

Package:0805(2012 公制);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0805

ATC

American Technical Ceramics Corp

ATC600F8R2BT250XT

N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

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ATC600F8R2BT250XT

RFPowerLDMOSTransistor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    600F8R2BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    ATC 600F

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 電壓 - 額定:

    250V

  • 溫度系數(shù):

    C0G,NP0

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低損耗,超低 ESR

  • 應(yīng)用:

    射頻,微波,高頻,旁通,去耦

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.01mm x 1.24mm)

  • 厚度(最大值):

    0.051"(1.30mm)

  • 描述:

    CAP CER 8.2PF 250V C0G/NP0 0805

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
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更多600F8R2BT250XT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 16:03:00