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70V3579S6BCI_集成電路（IC）存儲(chǔ)器-Renesas Electronics America Inc

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廠家型號(hào)：
70V3579S6BCI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
庫(kù)存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲(chǔ)器
封裝外殼：
256-LBGA
包裝：
托盤
安裝類型：
表面貼裝型
更新時(shí)間：
2025-2-9 8:24:00

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原廠料號(hào)：70V3579S6BCI品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說(shuō)明：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

70V3579S6BCI是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝256-LBGA的70V3579S6BCI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號(hào)：
70v3579s6bci
規(guī)格書：
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資料說(shuō)明：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
70V3579S6BCI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，同步
存儲(chǔ)容量：
1.125Mb（32K x 36）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
256-LBGA
供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

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