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70V657S12DRGI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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70V657S12DRGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-BFQFP；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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IDT70V657S12BF	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

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