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71V424S12YG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V424S12YG
廠商型號

71V424S12YG
參數(shù)屬性

71V424S12YG 封裝/外殼為36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
功能描述

3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit)
封裝外殼

36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
文件大小

189.42 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-24 11:06:00
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71V424S12YG規(guī)格書詳情

Features

◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

◆ Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆ Single 3.3V power supply

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly

TTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and

44-pin, 400 mil TSOP.

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

產品屬性

  • 產品編號：

    71V424S12YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    36-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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