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AIMZH120R060M1T

Marking：A12M1T060；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=38AatTC=25°C ?RDS(on)=60mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

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AIMZH120R080M1T

Marking：A12M1T080；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=31AatTC=25°C ?RDS(on)=80mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

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AIMZH120R120M1T

Marking：A12M1T120；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=22AatTC=25°C ?RDS(on)=117mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswit

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AIMZH120R160M1T

Marking：A12M1T160；Package：PG-TO247-4-STD-NT6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=17AatTC=25°C ?RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswit

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AIMZHN120R010M1T

Marking：A12M1N010；Package：PG-TO247-4-STD-NN6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=202AatTC=25°C ?RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswi

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AIMZHN120R020M1T

Marking：A12M1N020；Package：PG-TO247-4-STD-NN6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=100AatTC=25°C ?RDS(on)=19mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswit

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AIMZHN120R030M1T

Marking：A12M1N030；Package：PG-TO247-4-STD-NN6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=69AatTC=25°C ?RDS(on)=30mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

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AIMZHN120R040M1T

Marking：A12M1N040；Package：PG-TO247-4-STD-NN6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=55AatTC=25°C ?RDS(on)=40mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

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AIMZHN120R060M1T

Marking：A12M1N060；Package：PG-TO247-4-STD-NN6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

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Marking：A12M1N080；Package：PG-TO247-4-STD-NN6.7；CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=31AatTC=25°C ?RDS(on)=80mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

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產品屬性

  • 產品編號：

    A12

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 系列：

    A12

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 頻率：

    5MHz ~ 1GHz

  • P1dB：

    8dBm

  • 增益：

    16dB

  • 噪聲系數(shù)：

    2.8dB

  • 射頻類型：

    通用

  • 電壓 - 供電：

    15V

  • 電流 - 供電：

    22mA

  • 測試頻率：

    5MHz ~ 1GHz

  • 封裝/外殼：

    TO-8 形式，4 引線

  • 供應商器件封裝：

    TO-8

  • 描述：

    AMPLIFIER,CASCADABLE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多A12供應商 更新時間2025-7-22 10:50:00

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