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A2F12M12W2-F1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

A2F12M12W2-F1
廠商型號

A2F12M12W2-F1
參數(shù)屬性

A2F12M12W2-F1 封裝/外殼為模塊；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：ACEPACK 2 POWER MODULE, FOURPACK
功能描述

ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 1200 V, 13 mΩ typ. SiC Power MOSFET gen.2 with NTC
ACEPACK 2 POWER MODULE, FOURPACK
封裝外殼

模塊
文件大小

565.73 Kbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-2 16:20:00
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A2F12M12W2-F1規(guī)格書詳情

A2F12M12W2-F1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的A2F12M12W2-F1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Features

? Fourpack topology

? ACEPACK 2 power module

– 13 mΩ of typical RDS(on) each switch

– Insulation voltage UL certified of 2.5 kVrms

– Integrated NTC temperature sensor

– DBC Cu-Al2O3-Cu based

– Press fit contact pins

Description

This ACEPACK 2 power module in fourpack topology integrates advanced silicon

carbide Power MOSFET technology from STMicroelectronics. The module leverages

the innovative properties of the wide-bandgap SiC material and a high-thermalperformance

substrate. The result is exceptionally low on-resistance per unit area

and excellent switching performance that is virtually independent of temperature. An

NTC sensor completes the design.

Applications

? DC/DC converter

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    A2F12M12W2-F1

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    管件

  • 配置：

    全橋

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應商器件封裝：

    ACEPACK? 2

  • 描述：

    ACEPACK 2 POWER MODULE, FOURPACK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CIT Relay and Switch
23+
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