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A2T14H450-23N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2T14H450-23N
廠商型號(hào)

A2T14H450-23N

參數(shù)屬性

A2T14H450-23N 封裝/外殼為OM-1230-4L2S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

功能描述

RF Power LDMOS Transistor N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

OM-1230-4L2S

文件大小

385.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 11:33:00

A2T14H450-23N規(guī)格書詳情

This 93 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for

cellular base station applications covering the frequency range of 1427 to

1517 MHz.

Features

? Advanced high performance in?package Doherty

? Greater negative gate?source voltage range for improved Class C operation

? Designed for digital predistortion error correction systems

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A2T14H450-23NR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.452GHz ~ 1.511GHz

  • 增益:

    18.8dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 封裝/外殼:

    OM-1230-4L2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OM-1230-4L2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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