A3_18分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
A3_18 |
參數(shù)屬性 | A3_18 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, |
功能描述 | 2mm Pitch Miniature Connector |
封裝外殼 | NI-780S-4L |
文件大小 |
333.05 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Hirose Electric Company |
企業(yè)簡稱 |
HIROSE【廣瀨】 |
中文名稱 | 日本廣瀨電機株式會社官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-22 22:59:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
A3G18D510-04SR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 頻率:
1.805GHz ~ 2.2GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 輸出:
56W
- 封裝/外殼:
NI-780S-4L
- 供應商器件封裝:
NI-780S-4L
- 描述:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AVAGO/安華高 |
23+ |
NA/ |
285 |
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詢價 | ||
AVAGO |
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AVAGO/安華高 |
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AVAGO |
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AVAGO |
21+ |
DIP-8 |
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詢價 | ||
AVAGO/安華高 |
21+ |
DIP-8 |
120000 |
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詢價 | ||
RAL |
23+ |
NA |
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AVAGO |
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QFN |
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24+ |
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3 |
詢價 |