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A3_18分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A3_18
廠商型號

A3_18

參數(shù)屬性

A3_18 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

功能描述

2mm Pitch Miniature Connector

封裝外殼

NI-780S-4L

文件大小

333.05 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Hirose Electric Company
企業(yè)簡稱

HIROSE廣瀨

中文名稱

日本廣瀨電機株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-22 22:59:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A3G18D510-04SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    16dB

  • 功率 - 輸出:

    56W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L

  • 供應商器件封裝:

    NI-780S-4L

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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