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A3G18H500-04SR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

A3G18H500-04SR3
廠商型號(hào)

A3G18H500-04SR3
參數(shù)屬性

A3G18H500-04SR3 封裝/外殼為NI-780S-4L；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
功能描述

1805–2200 MHz, 107 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR
封裝外殼

NI-780S-4L
文件大小

414.55 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-19 11:33:00

A3G18H500-04SR3規(guī)格書(shū)詳情

Features

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Advanced high performance in--package Doherty

? Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating

conditions

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A3G18H500-04SR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益：

    15.4dB

  • 功率 - 輸出：

    107W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780S-4L

  • 描述：

    RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP USA Inc.
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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