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A3G26D055N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A3G26D055N
廠商型號

A3G26D055N

參數(shù)屬性

A3G26D055N 封裝/外殼為6-LDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

封裝外殼

6-LDFN 裸露焊盤

文件大小

231.87 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-19 11:23:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A3G26D055N-1805

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    GaN

  • 頻率:

    100MHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    13.9dB

  • 功率 - 輸出:

    8W

  • 封裝/外殼:

    6-LDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-PDFN(7x6.5)

  • 描述:

    RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
21+
6250
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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23+
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