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A5G35S008N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A5G35S008N
廠商型號(hào)

A5G35S008N

參數(shù)屬性

A5G35S008N 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

文件大小

197.28 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 13:08:00

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A5G35S008N規(guī)格書詳情

This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 3300 to 3800 MHz.

Features

? High terminal impedances for optimal broadband performance

? Designed for low complexity analog or digital linearization systems

? Universal broadband driver

? Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A5G35S008NT6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP
22+
NA
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原裝正品支持實(shí)單
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NXP SEMICONDUCTORS
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原裝原裝原裝
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