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ADM150N03E中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ADM150N03E
廠商型號

ADM150N03E

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

絲印標識

ADM150N06E

封裝外殼

TO-252-2

文件大小

596.57 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 16:42:00

ADM150N03E規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Lead-Free,RoHS Compliant

Description:

The ADM150N30E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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