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ADM200N06G中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ADM200N06G
廠商型號(hào)

ADM200N06G

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

ADM200N06G

封裝外殼

TO-263-2

文件大小

1.10951 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

ADV愛德微

中文名稱

愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

ADM200N06G規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Lead-Free,RoHS Compliant

Description:

The ADM200N06G series MOSFETs is a new technology, which combines an innovative super junction technology and advance process. This new technology achieves low Rdson, energy saving, high reliability and uniformity, superior power density and space saving.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ADI/亞德諾
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66900
原封裝
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只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
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