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AFE8030IABJ	文件：974.18 Kbytes Page：14 Pages	AFE8030 Octal-Channel RF Transceiver with Feedback Paths 1Features ?OctalRFsampling12-GSPStransmitDACs ?OctalRFsampling4-GSPSreceiveADCs ?DualRFsampling4-GSPSfeedbackADCs ?MaximumRFsignalbandwidth: –TX/FB:800MHz. ?1200MHzin4-channelmode –RX:400MHz ?800MHzin4-channelmode ?RFfrequencyrange:upto6GHz ?	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
AFE8030IABJ	文件：1.31854 Mbytes Page：20 Pages	AFE8030 Octal-Channel RF Transceiver with Feedback Paths 1Features ?OctalRFsampling12-GSPStransmitDACs ?OctalRFsampling4-GSPSreceiveADCs ?DualRFsampling4-GSPSfeedbackADCs ?MaximumRFsignalbandwidth: –TX/FB:800MHz. ?1200MHzin4-channelmode –RX:400MHz ?800MHzin4-channelmode ?RFfrequencyrange:upto6GHz ?	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
AFE8030IABJ	文件：970.23 Kbytes Page：13 Pages	AFE8030 Octal-Channel RF Transceiver with Feedback Paths	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
AFE8030IABJ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：400-BFBGA，F(xiàn)CBGA 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻收發(fā)器 IC 描述：OCTAL-CHANNEL RF TRANSCEIVER WIT	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
AOZ8030	文件：385.07 Kbytes Page：7 Pages	8-LineEMIFilterwithIntegratedESDProtection	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOZ8030DIL	文件：385.07 Kbytes Page：7 Pages	8-LineEMIFilterwithIntegratedESDProtection	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
APT8030	文件：60.6 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030JN	文件：61.61 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030JN	文件：539.47 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·ACandDCMotorDrives ·PowerFactorCorrection(PFC)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT8030JVFR	文件：69.08 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030JVFR	文件：70.07 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030JVR	文件：67.79 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030LVFR	文件：63.46 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030LVFR	文件：62.59 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030LVFR	文件：67.37 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT8030LVFR	文件：328.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT8030LVFRG	文件：67.37 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecovery	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT8030LVR	文件：60.38 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8030LVR	文件：328.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AT8030	文件：341.32 Kbytes Page：10 Pages	2X15W2.0channelanti-breakingClassDamplifier	YONGFUKANGShenzhenshi YONGFUKANG Technology co.,LTD 永?？?/span>深圳市永福康科技有限公司	YONGFUKANG

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
AFE8030IABJ
制造商：
Texas Instruments
類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻收發(fā)器 IC
包裝：
卷帶（TR）
類型：
僅限 TxRx
頻率：
6GHz
數(shù)據(jù)速率（最大值）：
32.5Gbps
串行接口：
SPI
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
400-BFBGA，F(xiàn)CBGA
供應(yīng)商器件封裝：
400-FCBGA（17x17）
描述：
OCTAL-CHANNEL RF TRANSCEIVER WIT

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	AFE8030IABJ	TI(德州儀器)	23+	FCBGA400	970	只做原裝,提供一站式配單服務(wù),代工代料。BOM配單	詢價(jià)
深圳市榮澤信電子科技有限公司	AFE8030IABJ	TI	23+	FCBGA	5000	全新原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	AFE8030IABJ	TI(德州儀器)	23+	FCBGA400	1539	原裝現(xiàn)貨,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持,原廠對(duì)接	詢價(jià)
芯權(quán)科技（深圳）有限公司	AFE8030IABJ	TI/德州儀器	23+	FCBGA-400	8355	只做原裝現(xiàn)貨/實(shí)單可談/支持含稅拆樣	詢價(jià)
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	AFE8030IABJ	TI	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
深圳市恒科翔業(yè)電子有限公司	AFE8092	TI德州儀器	22+		24000	原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)	詢價(jià)
深圳市中億偉業(yè)電子有限公司	AFE8092IABJ	TI	21+	FCBGA	59	原包標(biāo)簽.100%進(jìn)口原裝.常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市弘揚(yáng)芯城科技有限公司	AFE8092IABJ	TI(德州儀器)	23+	FCBGA400	6000	誠信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	AFE8130ZQAR	CXD9818GG	2023+	原廠封裝	8700	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市豪邁興電子有限公司	AFE8130ZQZR	TI	2339+	BGA	5650	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢庫存!	詢價(jià)

更多AFE8030IABJ供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 23:00:00

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