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AM1214-250中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AM1214-250
廠商型號

AM1214-250

功能描述

RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS

文件大小

36.45 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-26 17:00:00

AM1214-250規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The AM1214-250 is a rugged, Class C common base device designed for new L - Band medium & long pulse radar applications.

Minimal amplitude droop over a long pulse of 500 microsec. is guaranteed by a thermal design incorporating an overlay site-ballasted die geometry.

? REFRACTORY /GOLD METALLIZATION

? EMITTER SITE BALLASTING

? LOW RF THERMAL RESISTANCE

? INPUT/OUTPUT MATCHING

? OVERLAY GEOMETRY

? METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

? POUT = 300 W MIN. WITH 8.0 dB GAIN

? 1215-1400 MHz OPERATION

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AM1214-250

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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